ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока

34. Время прямого восстановления диода

Ндп. Время восстановления прямого сопротивления

D. Durchlasserholungszeit der Diode

E. Forward recovery time

F. Temps de recouvrement direct

Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения

65. Время спада обратного тока выпрямительного диода

Интервал времени между моментом, когда ток, изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения и моментом окончания времени обратного восстановления выпрямительного диода

111. Время тепловой релаксации СВЧ диода

Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура перехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения температуры в установленном режиме

Постоянная составляющая тока СВЧ диода в рабочем режиме

123. Выходное сопротивление детекторного диода на видеочастоте

Активная составляющая полного сопротивления детекторного диода на видеочастоте в заданном режиме

122. Выходное сопротивление смесительного диода

Активная составляющая полного сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте в заданном режиме

132. Выходное шумовое отношение СВЧ диода

E. Output noise ratio

F. Rapport de température de bruit

Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот

109. Граничная мощность детекторного диода

Значение мощности, при которой зависимость выпрямленного тока детекторного диода от мощности сигнала отклоняется от линейной на заданное значение при заданном сопротивлении нагрузки

143. Граничная частота шумового диода

Значение частоты, на которой спектральная плотность напряжения или мощности шумового диода имеет максимальное отклонение от ее среднего значения

41. Действующий прямой ток выпрямительного диода

Е. RMS forward current

Действующее значение прямого тока выпрямительного диода за период

144. Диапазон частот шумового диода

Интервал частот, заключенный между верхней и нижней граничной частотой шумового диода

61. Динамическое сопротивление выпрямительного диода

D. Dynamischer Widerstand der Diode

E. Slope resistance

F. Résistance apparente directe

Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода

19. Дифференциальное сопротивление диода

D. Differentieller Widerstand der Diode

E. Differential resistance

F. Résistance différentielle

Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме

84. Дифференциальное сопротивление стабилитрона

D. Z-Widerstand der Z-Diode

E. Differential resistance within the working voltage range

F. Résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation

Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона

Отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения

129. Добротность СВЧ диода

Отношение реактивного сопротивления СВЧ диода на заданной частоте к активному при заданном значении обратного напряжения

18. Емкость корпуса диода

D. Gehäusekapazität der Diode

E. Case capacitance

Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла

17. Емкость перехода диода

D. Sperrschichtkapazität der Diode

E. Junction capacitance

F. Capacité de jonction

Общая емкость диода без емкости корпуса.

Примечание. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «Cстр»

32. Заряд восстановления диода

Ндп. Заряд переключения

D. Sperrerholladung der Diode

E. Recovered charge

F. Charge recouvrée

Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.

1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.

2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада

62. Заряд запаздывания выпрямительного диода

Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время запаздывания обратного напряжения

63. Заряд спада выпрямительного диода

Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время спада обратного тока

43. Защитный показатель выпрямительного диода

∫ i 2 dt

∫ I 2 dt

Значение интеграла от квадрата ударного прямого тока выпрямительного диода

106. Импульсная выходная мощность СВЧ диода

Значение импульсной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме

55. Импульсная мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

E. Peak turn-on dissipation

F. Dissipation de pointe a l’etablissement du courant

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток

52. Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Peak turn-off dissipation

F. Dissipation de pointe à la coupure du courant

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

15. Импульсная рассеиваемая мощность диода

D. Spitzenverlustleistung der Diode

E. Peak power dissipation

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом

103. Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода

E. Pulse r. f. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans le cas de train d'ondes R. F.

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы

4. Импульсное обратное напряжение диода

D. Spitzensperrspannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de crête

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

2. Импульсное прямое напряжение диода

D. Spitzendurchlassspannung der Diode

E. Peak forward voltage

F. Tension directe de crête

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

101. Импульсное рабочее напряжение диода Ганна

Мгновенное значение импульсного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

22. Импульсное тепловое сопротивление диода

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к импульсной мощности диода

11. Импульсный обратный ток диода

D. Spitzensperrstrom der Diode

E. Peak reverse current

F. Courant inverse de crête

Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением

8. Импульсный прямой ток диода

D. Spitzendurchlassstrom der Diode

E. Peak forward current

F. Courant direct de crête

Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи

95. Импульсный пусковой ток ЛПД

Наименьшее мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

98. Импульсный рабочий ток диода Ганна

Мгновенное значение тока диода Ганна при импульсном рабочем напряжении

93. Импульсный рабочий ток ЛПД

Мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

83. Импульсный ток стабилизации стабилитрона

Наибольшее мгновенное значение тока стабилизации стабилитрона

29. Индуктивность диода

D. Induktvität der Diode

E. Total series equivalent inductance

F. Inductance série totale équivalente

Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях

80. Коэффициент перекрытия по емкости варикапа

Отношение общих емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения

131. Коэффициент полезного действия СВЧ диода

Отношение выходной мощности СВЧ диода к потребляемой им мощности

134. Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода КСВН

E. Voltage standing wave ratio V.S.W.P.

F. Taux d’ondes stationnaires T.O.S (R.O.S.)

Коэффициент стоячей волны по напряжению в линии передачи СВЧ, нагруженной на определенную диодную камеру с СВЧ диодом в рабочем режиме

128. Критическая частота переключательного диода

Обобщенный параметр переключательного диода, определяемый по формуле

110. Минимально различимая мощность сигнала детекторного диода

Значение мощности СВЧ сигнала, поданного на приемник с детектором на входе, при котором отношение сигнал - шум равно единице

107. Мощность ограничения СВЧ диода

Е. Clipping power

Уровень СВЧ мощности, подводимой на вход линии передачи с диодом, включенным параллельно линии передачи, при которой выходная мощность достигает заданного значения

31. Накопленный заряд диода

E. Stored charge

F. Charge stockée

Заряд электронов или дырок в базе диода или i-области p-i-n структуры, накопленный при протекании прямого тока

70. Напряжение впадины туннельного диода

D. Talspannung der Tunneldiode

E. Valley point voltage

F. Tension de vallée

Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода

69. Напряжение пика туннельного диода

D. Höckerspannung der Tunneldiode

E. Peak point voltage

F. Tension de pic

Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода

71. Напряжение раствора туннельного диода

D. Projezierte Höckerspannug

E. Projected peak point voltage

F. Tension isohypse

Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому

81. Напряжение стабилизации стабилитрона

D. Z-Spannung der Z-Diode

E. Working voltage (of voltage regulator diode)

F. Tens on de régulation

89б. Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона

Отношение наибольшего отклонения напряжения стабилизации стабилитрона от линейной зависимости в указанном диапазоне температур к произведению абсолютного изменения напряжения стабилизации и абсолютного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации

37. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Non-repetitive (surge) reverse voltage

F. Tension inverse de pointe non-répétitive

Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.

Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения

105. Непрерывная выходная мощность СВЧ диода

Значение непрерывной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме

102. Непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода

E. R. F. с. w. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans le cas d’une onde R. F. entretenue

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы

141. Неравномерность спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

Отношение экстремального значения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к их среднему значению, выраженное в децибелах

89. Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона

Разность напряжений стабилизации при двух равных по абсолютному значению и противоположных по знаку токах стабилизации стабилитрона

6. Нестабильность параметра полупроводникового прибора

Модуль разности значений параметра полупроводникового прибора при воздействии дестабилизирующих факторов

133. Нормированный коэффициент шума смесительного диода

E. Standard overall average noise figure

F. Facteur de bruit total moyen normal

Значение коэффициента шума приемного устройства со смесительным диодом на входе при коэффициенте шума усилителя промежуточной частоты равном 1,5 дБ

13. Обратная рассеиваемая мощность диода

E. Reverse power dissipation

F. Dissipation de puissance en inverse

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока

2. Обратное напряжение диода

Напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении

118. Обратное сопротивление потерь переключательного диода

Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном обратном напряжении

4. Обратный ток диода

Ток, протекающий через диод, обусловленный обратным напряжением

16. Общая емкость диода

D. Gesamtkapazität der Diode

E. Terminal capacitance

F. Capasité aux bornes

Значение емкости между выводами диода при заданном режиме

59. Общая энергия потерь выпрямительного диода

Е. Total energy loss

Сумма средних значений энергий прямых и обратных потерь выпрямительного диода

68. Отношение токов туннельного диода

D. Höcker-Talstrom-Verhälthis der Tunneldiode

E. Peak to valley point current ratio

F. Rapport de dénivellation du courant

Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода

72. Отрицательная проводимость туннельного диода

D. Negativer Leitwert der Tunneldiode

E. Negative conductance of the intrinsic diode

F. Conductance négative de la diode intrinséque

Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода

26. Переходное тепловое сопротивление диода

Е. Transient thermal impedance

Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала.

Примечание. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во времени

28. Переходное тепловое сопротивление переход - корпус диода

Е. Transient thermal impedance junction to case

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода

27. Переходное тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода

Е. Transient thermal impedance junction to ambient

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

Значение прямого тока в точке максимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

50. Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Repetitive peak reverse power dissipation

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии периодических импульсов

36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe répétitive

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода

44. Повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода

E. Repetitive peak reverse current

F. Courant inverse de pointe répétitif

Значение обратного тока выпрямительного диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением

39. Повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода

D. Periodischer Spitzendurchlassstrom der Diode

E. Repetitive peak forward current

F. Courant direct de pointe répétitif

Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неповторяющиеся переходные токи

13. Показатель идеальности вольт-амперной характеристики полупроводникового прибора

Параметр, характеризующий качество полупроводникового прибора и определяемый по формуле

где q - заряд электрона;

k- постоянная Больцмана;

T - температура в градусах Кельвина;

I1, I2, U1, U2 - точки и соответствующие им напряжения на линейном участке зависимости lg IF = f(UF)

116. Полное входное сопротивление СВЧ диода

Полное сопротивление, измеренное на входе диодной камеры с СВЧ диодом в заданном режиме

126. Полоса частот СВЧ диода

Интервал частот, в котором СВЧ диод, настроенный на заданную частоту, обеспечивает заданные параметры и характеристики в неизменном рабочем режиме

38. Пороговое напряжение выпрямительного диода

D. Schleusenspannung der Diode

E. Threshold voltage

F. Tension de seuil

Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику в области больших токов

96. Пороговый ток диода Ганна

Значение постоянного тока диода Ганна в точке первого максимума вольт-амперной характеристики, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

20. Последовательное сопротивление потерь диода

D. Serienwiderstand der Diode

E. Total series equivalent resistance

F. Résistance série totale équivalente

Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода

124. Постоянная времени СВЧ диода

Произведение емкости перехода на последовательное сопротивление потерь СВЧ диода

146. Постоянное напряжение шумового диода

* В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова «диод» или «СВЧ диод» заменить понятием, определяющим группу диода, например «постоянный обратный ток диода» следует писать «постоянный обратный ток стабилитрона».

3. Постоянное обратное напряжение диода

D. Sperrgleichspannung der Diode

E. Reverse continuous voltage

F. Tension inverse continue

99. Постоянное пороговое напряжение диода Ганна

Значение постоянного напряжения, соответствующее пороговому току диода Ганна

1. Постоянное прямое * напряжение диода

D. Durchlassgleichspannung der Diode

E. Forward continuous voltage

F. Tension directe continue

Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода

100. Постоянное рабочее напряжение диода Ганна

Значение постоянного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

10. Постоянный обратный ток диода

D. Sperrgleichstrom der Diode

E. Reverse continuous current

F. Courant inverse continu

7. Постоянный прямой ток диода

D. Durchlassgleichstrom der Diode

E. Forward continuous current

F. Courant direct continu

94. Постоянный пусковой ток ЛПД

Наименьшее значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

97. Постоянный рабочий ток диода Ганна

Значение постоянного тока диода Ганна при постоянном рабочем напряжении

92. Постоянный рабочий ток ЛПД

Значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

145. Постоянный рабочий ток шумового диода

Значение постоянного тока, при котором определяются параметры шумового диода

130. Потери преобразования смесительного диода

E. Conversion loss

F. Perte de conversion

Отношение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода в рабочем режиме

73. Предельная резистивная частота туннельного диода

D. Entdämpfungs-Grenzfrequenz der Tunneldiode

E. Resistive cut-off frequency

F. Fréquence de coupure résistive

Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль

78. Предельная частота варикапа

D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode

E. Cut-off frequency

F. Fréquence de coupure

Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях

127. Предельная частота умножительного диода

Значение частоты, на которой добротность умножительного диода равна единице.

Примечание. Предельная частота определяется по формуле

где Cпер - емкость перехода;

rп - последовательное сопротивление потерь

5. Предельно допустимое значение параметра полупроводникового прибора

Значение параметра, заданное в нормативно-технической документации, ограниченное возможностями данного типа прибора и обеспечивающее заданную надежность.

1. Предельно допустимое значение может быть максимально или минимально допустимым.

2. Если речь идет о предельно допустимом значении параметра, то к термину следует добавить слова «максимально допустимый» или «минимально допустимый», а к буквенному обозначению добавить индекс «max» или «min»

6. Пробивное напряжение диода

D. Durchbruchspannung der Diode

E. Breakdown voltage

F. Tension de claquage

Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения

12. Прямая рассеиваемая мощность диода

D. Durchlassverlustleistung der Diode

E. Forward power dissipation

F. Dissipation de puissance en direct

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока

1. Прямое напряжение диода

Напряжение между выводами диода, обусловленное прямым током

117. Прямое сопротивление потерь переключательного диода

Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном прямом токе

3. Прямой ток диода

Ток, протекающий через диод в прямом направлении

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений

89в. Размах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона

Разница наибольшего и наименьшего напряжения стабилизации стабилитрона за время измерения в указанном диапазоне частот при постоянном токе стабилизации

51. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Total instantaneous turn-off dissipation

F. Dissipation totale instantanée à la coupure du courant

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

54. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

E. Total instantaneous turn-on dissipation

F. Dissipation totale instantanée a l’etablissement du courant

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток

121. Сопротивление диода Ганна

Активное сопротивление диода Ганна, измеряемое при напряжении значительно меньшем порогового

120. Сопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощности

Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при значениях СВЧ мощности, больших мощности ограничения, при которых сопротивление диода не изменяется

119. Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности

Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при малых значениях СВЧ мощности, на начальном участке ограничительной характеристики, при которых сопротивление диода не изменяется

140. Спектральная плотность мощности шумового диода

Отношение среднего квадратического значения мощности шумового диода к заданному диапазону частот

Отношение среднего квадратического значения напряжения шумового диода к корню квадратному из заданного диапазона частот

90. Спектральная плотность шума стабилитрона

Эффективное значение напряжения шума, отнесенное к полосе в 1 Гц, измеренное при заданном токе стабилизации стабилитрона в оговоренном диапазоне частот

5. Среднее прямое напряжение диода

D. Mittlere Durchlassspannung der Diode

E. Average forward voltage

F. Tension directe moyenne

Среднее за период значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом токе

46. Средний выпрямленный ток диода

D. Mittlerer Richtstrom der Diode

E. Average output rectified current

F. Courant moyen de sortie redressé

Среднее за период значение прямого и обратного токов выпрямительного диода

45. Средний обратный ток выпрямительного диода

D. Mittlerer Sperrstrom der Diode

E. Average reverse current

F. Courant inverse moyen

Среднее за период значение обратного тока выпрямительного диода

9. Средний прямой ток диода

D. Mittlerer Durchlassstrom der Diode

E. Average forward current

F. Courant durect moyen

Среднее за период значение прямого тока диода

48. Средняя обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average reverse power dissipation

Произведение мгновенных значений обратного тока и обратного напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

47. Средняя прямая рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average forward power dissipation

Произведение мгновенных значений прямого тока и прямого напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

53. Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Average turn-off dissipation

F. Dissipation moyene à la coupure du courant

Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при обратном восстановлении

56. Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

E. Average turn-on dissipation

F. Dissipation moyenne a l’etablissement du courant

Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при прямом восстановлении

14. Средняя рассеиваемая мощность диода

D. Mittlere Verlustleistung der Diode

E. Average power dissipation

Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов

104. Средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода

E. Average r. f. power

F. Puissance R. F. moyenne

Сумма средних значений рассеиваемых СВЧ диодом мощностей от всех источников

108. Тангенциальная чувствительность СВЧ диода

Е. Tangential sensitivity

Значение импульсной мощности СВЧ сигнала, при котором на экране осциллографа, включенного на выходе системы «детекторное устройство - видеоусилитель» наблюдается совпадение верхней границы полосы шумов при отсутствии СВЧ сигнала с нижней границей полосы шумов при его наличии

8. Температура в контрольной точке полупроводникового прибора

Температура, измеренная в заданной точке на (в) корпусе прибора или в среде, окружающей или охлаждающей прибор, выбранной для контроля параметра прибора

9. Температура корпуса полупроводникового прибора

Температура в заданной контрольной точке на (в) корпусе полупроводникового прибора

10. Температура окружающей среды

Температура воздуха или газа, измеренная вблизи полупроводникового прибора при условии естественной конвекции и при отсутствии влияния поверхностей, излучающих тепло

11. Температура охлаждающей среды

Температура в заданной контрольной точке среды, охлаждающей полупроводниковый прибор, или его охладителя

12. Температура хранения

137. Температурный коэффициент выходной мощности СВЧ диода

Отношение относительного изменения выходной мощности СВЧ диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды

79. Температурный коэффициент добротности варикапа

D. Temperaturkoeffizient des Gütefaktors der Kapazitätsdiode

E. Temperature coefficient of quality factor

Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

77. Температурный коэффициент емкости варикапа

D. Temperaturkoeffizient der Kapazität der Kapazitätsdiode

E. Temperature coefficient of capacitance

Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

85. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона

D. Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode

E. Temperature coefficient of working voltage

F. Coefficient de temperature de la tension de régulation

Отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации

142. Температурный коэффициент спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

Отношение относительного изменения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе диода

138. Температурный коэффициент частоты СВЧ диода

Отношение относительного изменения частоты генерации СВЧ диода к разности температур, окружающей среды

89а. Температурный уход напряжения стабилизации стабилитрона

Максимальное абсолютное изменение напряжения стабилизации стабилитрона от изменения температуры в установленном диапазоне температур при постоянном токе стабилизации

25. Тепловая емкость диода

Е. Thermal capacitance

Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке

21. Тепловое сопротивление диода

E. Thermal resistance

F. Résistance thermique

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме

24. Тепловое сопротивление переход - корпус диода

Е. Thermal resistance junction to case

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода.

Примечание. Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин «тепловое сопротивление структура - окружающая среда» или термин «тепловое сопротивление структура - корпус»

23. Тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

67. Ток впадины туннельного диода

D. Talstrom der Tunneldiode

E. Valley point current

F. Courant de vallée

Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

42. Ток перегрузки выпрямительного диода

E. Overload forward current

F. Courant direct de surcharge prévisible

Значение прямого тока выпрямительного диода, длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.

Примечание. За время эксплуатации диода число воздействий током перегрузки не ограничивается

82. Ток стабилизации стабилитрона

D. Z-Strom der Z-Diode

E. Continuous current within the working voltage range

F. Courant continu inverse pour la gamme des tensions de régulation

Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации

49. Ударная обратная рассеиваемая мощность лавинного выпрямительного диода

Е. Surge (non-repetitive) reverse power dissipation

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии одиночных импульсов тока в режиме пробоя

40. Ударный прямой ток выпрямительного диода

Ток, при протекании которого превышается максимально допустимая эффективная температура перехода, но который за время срока службы выпрямительного диода появляется редко с ограниченным числом повторений и вызывается необычными условиями работы схемы

136. Чувствительность по напряжению СВЧ диода

Отношение приращения напряжения на нагрузке СВЧ диода к вызвавшей это приращение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме

135. Чувствительность по току СВЧ диода

E. Total current sensitivity

F. Sensibilité totale en courant

Отношение приращения выпрямительного тока диода к вызвавшей это приращение СВЧ мощности на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме при заданной нагрузке

74. Шумовая постоянная туннельного диода

D. Rauschfaktor der Tunneldiode

F. Facteur de bruit

Величина, определяемая соотношением:

где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,

gпер - отрицательная проводимость туннельного диода

114. Энергия выгорания СВЧ диода

E. Burn-out energy

F. Energie de claquage

Минимальное значение энергии одиночного короткого импульса СВЧ диода, после воздействия которого электрические параметры СВЧ диода изменяются на заданные значения

75. Энергия импульсов туннельного диода

Энергия коротких импульсов тока, воздействующих на туннельный диод

58. Энергия обратных потерь выпрямительного диода

Е. Reverse energy loss

Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной обратным током

112. Энергия одиночного импульса СВЧ диода

E. Single pulse energy

F. Energie d’une impulsion

Значение энергии одного воздействующего на СВЧ диод короткого импульса.

Примечание. Под коротким импульсом понимается импульс длительностью не более 10 -8 с

113. Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода

E. Repetitive pulse energy

F. Energie d’une impulsion répétitive

Значение энергии серии воздействующих на СВЧ диод повторяющихся коротких импульсов

60. Энергия потерь при обратном восстановлении диода

Е. Reverse recovery energy loss

Значение энергии потерь выпрямительного диода при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

57. Энергия прямых потерь выпрямительного диода

Е. Forward energy loss

Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной прямым током

115. Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода

Значение энергии воздействующих на СВЧ диод СВЧ импульсов длительностью менее 3 · 10 -9 с

7. Эффективная температура перехода полупроводникового прибора

Температура, которая устанавливается на основе упрощенных представлений о тепловых и электрических свойствах полупроводникового прибора и не всегда является наивысшей в приборе

30. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода

Е. Effective excess minority lifetime

Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника

Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации . academic.ru . 2015 .

время — 3.3.4 время tE (time tE): время нагрева начальным пусковым переменным током IА обмотки ротора или статора от температуры, достигаемой в номинальном режиме работы, до допустимой температуры при максимальной температуре окружающей среды. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

показатель — 3.7 показатель (indicator): Мера измерения, дающая качественную или количественную оценку определенных атрибутов, выведенную на основе аналитической модели, разработанной для определенных информационных потребностей. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

потери — 3.8 потери: Разность между 100 и восстановленным общим объемом, в процентах. Источник: ГОСТ 2177 99: Нефтепродукты. Методы определения фракционного состава оригинал документа … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации